新闻标题: 徐东升
发布时间: 2008年11月24日 阅读次数:3354    

徐东升


 
徐东升
 专业:物理化学
研究方向:低维纳米结构材料化学和物理,博士,副教授
电话:010-62753580 传真:010-62753937
电子邮件:dsxu@chem.pku.edu.cn
1986年毕业于武汉大学化学系;
1994
年获哈尔滨工程大学硕士;
1998
年获北京大学理学博士;
1998-2000
年,北京大学博士后。
 
研究领域和兴趣:
1.维纳米结构材料的生长及其本征光学、电学性质。
2. 半导体纳米线光电化学:光电池、光催化与光解水。
3.基于纳米线构造的纳米激光、传感与光电器件。
4.低维纳米结构材料化学:表面化学修饰与性能调控。
以多孔阳极氧化铝为模板,电化学制备出取向一致、直径可调、长度达几十微米的各种晶体半导体纳米线阵列。部分研究结果发表在Adv. Mater. (2000, 12, 520)J. Phys. Chem. B. (2000, 104, 5061)Chem. Phys. Lett. (2000, 325, 340)Nano Lett.(2002, 2, 717)。并应邀在《Nanowire Materials?》一书中撰写“Template assisted growth of semiconductor nanowires”一章。

代表性论文和专著:
Ruizhi Chen, Dongsheng Xu*, Guolin Guo, and Linlin Gui, “Silver Selenide Nanowires by Electrodeposition”. J. Electrochem. Soc., 2002, in press. Zheng Miao, Dongsheng Xu*, Jianhua Ouyang, Guolin Guo, Xinsheng Zhao, and Youqi Tang, “Electrochemically induced Sol-Gel Preparation of Single- Crystalline TiO2 Nanowires”. Nano Lett., 2002, 2(7), 717. Dongsheng Xu, Yajie Xu, Dapeng Chen, Guolin Guo, Linlin Gui and Youqi Tang, “Preparation of CdS Single Crystal Nanowires by Electrochemically Induced Deposition”.Adv. Mater.2000, 12, 520. Dongsheng Xu, Xuesong Si, Guolin Guo, Linlin Gui and Youqi Tang, “Electrochemical Preparation of CdSe Nanowire Arrays”. J. Phys. Chem. B.? 2000, 104, 5061. Dongsheng Xu, Yajie Xu, Dapeng Chen, Guolin Guo, Linlin Gui and Youqi Tang,“Preparation and Characterization of CdS Nanowire Arrays by DC Electrodeposit in Porous Aluminum Oxide Templates”.Chem. Phys. Lett.? 2000, 325, 340. Dongsheng Xu, Guolin Guo, Linlin Gui, Youqi Tang, et al., “Controlling growth and field emission property of aligned carbon nanotubes on porous silicon substrates”.Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 481. Dongsheng Xu, Guolin Guo, Linlin Gui, Youqi Tang, et al.,“Optical Absorption and Photoluminescence Studies of Free-Standing Porous Silicon Films with High Porosities”.J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5468. Dongsheng Xu, Guolin Guo, Linlin Gui, Youqi Tang, et al., “Optical properties and luminescence mechanism of oxidized free-standing porous silicon films”.J. Appl. Phys. 1999, 86, 2066.

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